不同烧结法对3Y-TZP陶瓷力学性能的影响
摘要 本文研究了低温烧结含3mol%氧化钇的四方多晶氧化锆(3Y-TZP)的烧结性能和力学性能,以及进行热等静压(HIP)后其力学性能的变化。成形后的3Y-TZP在常压、1300~1450℃温度下进行烧结。由于该粉料有很高的烧结活性,在1300℃低温烧成下就可获得相对密度大于94%的烧结体;在 1350℃烧成温度下3Y-TZP 获得了最佳的力学性能。其断裂韧性(KIC)和维氏硬度(HV)分别达到18.7MPa·m1/2和13.7GPa,其中应力诱导相变是其主要的增韧机理。对低温烧成的3Y-TZP陶瓷进行热等静压烧结后发现,HIP增大3Y-TZP陶瓷HV的作用显著,可使其增至14.3GPa。
关键词 氧化锆陶瓷,烧结,热等静压,力学性能
1前 言
ZrO2具有熔点和沸点高、硬度大、常温下为绝缘体,而高温下为导体等优良性质[1]。1975年澳大利亚R.G.Garvie以CaO为稳定剂制得部分稳定的氧化锆陶瓷(CaO-PSZ),并首次利用ZrO2马氏体相变的增韧效应,提高了其韧性和强度,极大地扩展了ZrO2在结构陶瓷领域的应用[2]。Y-TZP 陶瓷已经成为当今力学性能最好、应用最广泛的结构陶瓷之一。制备Y-TZP陶瓷的烧结方法有常压烧结、热压烧结、热等静压烧结、锻压烧结、微波烧结和放电等离子超快速烧结等,但是目前成本最低、工艺最简单、最常用的烧结方法依然是常压烧结。另外,由于化学制备纳米粉料的技术日趋完善,使得Y-TZP在低温下烧结成为可能。
获得具有良好力学性能的Y-TZP 陶瓷的关键是:从高温冷却至室温时尽可能多地保留亚稳定四方相ZrO2的体积分数,控制并提高对增韧有贡献的四方到单斜相转变的有效相变。本实验对低温常压烧结3Y-TZP的烧结性能、力学性能及热等静压处理下对其性能的影响进行了研究。
2实验过程
2.1 原 料
实验所用粉料为3Y-TZP粉末,该粉料购自江西微亿高科技材料有限公司,平均粒度为1μm。该粉末为过饱和固溶体,非热力学平衡相。氧化锆原料的化学成分列于表1。
2.2 试样制备
将3Y-TZP粉料在Ф33的钢模中于6MPa压力下干压预成形;再经冷等静压进一步致密化成形,冷等静压压力为200MPa;成形以后的试样埋入氧化铝粉末中,在高温坩埚炉中进行常压烧结。在1300℃和1350℃温度下烧结时保温4h;1400℃和1450℃温度下烧结时保温2h,升温速率均为10℃/min;初烧以后,再进行热等静压烧结,热等静压制度为1300℃×1h×150MPa,升降温速率均为10℃/min。
2.3 性能测试
通过Archinmedes法测定烧成后试样的体积密度,并计算出相对密度,本实验中用6.1g/cm3作为理论密度来估算相对密度。其中,相对密度d的计算公式为:d=(ρ1/ρ2)×100%,式中,ρ1为试样的实际密度,ρ2为试样的理论密度。本试验的显微硬度在HXD-1000TM/LCD型数字式显微硬度计上进行测定;采用压痕法在HV-50维氏硬度计上测量3Y-TZP陶瓷的断裂韧性,载荷10kg,保压时间15s,按照下式计算断裂韧性[3]:
KIC=0.73×P×C-3/2
式中:
P——实际加载的载荷,g
C——显微镜下实测裂纹长度,μm
KIC——断裂韧性,MPa·m1/2
2.4 相组成和显微组织观察
使用X射线衍射(XRD)法进行试样的物相组成分析。分别将粉末和试样的抛光表面在X.Pert Pro-MPD型衍射仪上进行X射线衍射分析,从而确定粉末和烧结后3Y-TZP试样中ZrO2单斜相和四方相含量的相对含量。XRD试验条件:Cu靶,加速电压40kV,加速电流40mA。
将试样的抛光表面、压痕表面,放在Zeiss Axio Imager.A1m型材料显微系统下观察。
3结果与讨论
3.1 烧成温度与致密化
图1 3Y-TZP陶瓷的相对密度与烧成温度的关系
从图1中可以清楚地看出,由于该粉料晶粒尺寸比较小(1μm左右),无团聚并且造粒好,因而该粉料有很好的成形性能和很高的烧结活性,使得3Y-TZP陶瓷在 1300℃低温烧成下就获得了相对密度大于94%的烧结体,当烧成温度提高至1350℃时,就可以获得相当高致密度的烧结体。然而,当烧成温度达到1450℃时,由于少量单斜相的出现以及少量氧化锆晶粒的异常长大,使得3Y-TZP陶瓷的密度反而有所下降。所得低温烧结致密化趋势跟饶平根等[4]的研究结果相同。
3.2 烧结对3Y-TZP陶瓷相组成的影响
图2是氧化锆粉末的主要相组成,初始粉末主要由t-ZrO2和m-ZrO2组成,其中,主晶相为t-ZrO2。而图3则是经1350℃初烧成,再在1300℃×1h×150MPa的烧结制度下进行热等静压烧结后,3Y-TZP陶瓷抛光表面的X射线衍射图谱。综合以上两个图可知,粉末经过上述工艺的烧结成形以后,相组成几乎全部都是t-ZrO2。这说明,在该烧结制度下, m-ZrO2已几乎全部转变为t-ZrO2,而在冷却过程中,只有很少部分的m-ZrO2生成。这主要是因为晶粒小于临界粒径,ZrO2均以介稳或稳定四方相形式存在。
图2 氧化锆粉末的X射线衍射图
图3 HIP后试样的X射线衍射图
3.3 烧成温度对力学性能的影响
图4和图5是不同温度下常压烧结Y-TZP陶瓷的维氏硬度HV和断裂韧性KIC与烧成温度之间的关系。可见,低于1350℃时,HV随烧成温度的升高而提高,KIC则提高得特别快;而当温度继续增大,KIC(超过1350℃时)和HV(超过1400℃时)则随烧成温度的升高而有所降低。实验结果表明,低温烧结3Y-TZP具有良好的力学性能,在 1300℃烧成温度下试样的维氏硬度和断裂韧性分别达12.7GPa和13.5MPa·m1/2(见图4,5)。随着烧成温度升至 1350℃,氧化锆晶粒逐渐长大并接近临界粒径,此时可相变t-ZrO2含量达到最大,该材料也获得最佳力学性能,断裂韧性和维氏硬度分别达到18.7MPa·m1/2和13.7GPa。
综合图4和图5可以得出,3Y-TZP陶瓷并不完全符合一般结构陶瓷的细晶高密度高强度的规律。Y-TZP增韧陶瓷的断裂韧性和维氏硬度是由材料的显微结构和ZrO2相变增韧协同控制的。在ZrO2相变增韧陶瓷材料断裂过程中,t-ZrO2能否相变成m-ZrO2还受到晶粒尺寸的影响。当晶粒尺寸太小(远小于临界相变尺寸Dc)时,相变应力增大,t-ZrO2难于发生相变,对增韧的贡献不大;当晶粒尺寸远大于临界相变尺寸时,则t-ZrO2粒子易于相变,甚至在烧成冷却过程中就发生相变而形成微裂纹甚至大裂纹,对增强增韧十分不利。因此,通过优化烧结参数或在高温下过烧退火处理[5]的方法,来控制t-ZrO2的晶粒尺寸是获得具有优良力学性能的Y-TZP 增韧陶瓷的关键。
图4 烧成温度对3Y-TZP陶瓷维氏硬度的影响
图5 3Y-TZP陶瓷烧成温度与断裂韧性的关系
3.4 热等静压对力学性能和显微组织的影响
热等静压对不同温度下常压烧结的3Y-TZP陶瓷维氏硬度HV和断裂韧性KIC的影响见图4和图5。HIP对HV的作用显著,其Hv最大可以增加1.3GPa。这主要是因为热等静压能够改变Y-TZP的气孔分布、物理性能和热性能。然而,热等静压处理对KIC的作用不如对HV明显。
图6是3Y-TZP陶瓷在1350℃×4h烧结后,进行热等静压(HIP制度:1300℃×150MPa×1h)处理前后的显微组织变化。从图中可以看出,HIP对3Y-TZP陶瓷的组织影响较大,HIP之前,试样中还存在有很多很大的气孔,而HIP之后,大部分气孔都消失,只存在少部分很难除去的小气孔。
热等静压前
热等静压后
图6热等静压对3Y-TZP陶瓷显微组织的影响
综上所述,在常压烧结中,由于3Y-TZP陶瓷试样的烧结驱动力主要是界面的自由能,在烧结温度下,表面积减小,系统的自由能趋于降低,引起试样体积收缩。而由于粒子的不均匀性,造成试样的不均匀收缩,从而产生大的气孔,或者由于急速的颗粒长大,在粒子内部也会产生气孔,使得烧结试样的致密度不高,进一步导致常压烧结下3Y-TZP陶瓷的力学性能不好。HIP使烧结试样致密化的微观机制主要有:粒子靠近及重排机制、塑性变形机制以及扩散蠕变机制[6]。很显然,本实验中HIP使3Y-TZP陶瓷致密化的微观机制主要是扩散蠕变机制。在常压下初烧成后,残留气孔不再相互连通,而是弥散分布在基体中,就象是悬浮在固体介质中的气泡。在HIP作用下,晶界开始扩散移动,将驱使气孔不断地沿着晶界做扩散运动,并相互连接、消失;在表面张力的作用下,气孔将球化成圆形,并不断地减小直至消失。在晶粒不断长大的过程中,气孔则随晶界的移动而不断减少。这时,宏观表现为烧结试样的致密度不断提高,几乎达到理论密度,力学性能有明显的提高。然而,晶粒内部的气孔不会随着晶界的运动而被完全排除,故在HIP后,试样中还会有很少量的残留气孔存在。
4结 论
(1) 所用氧化锆粉料具有较高的烧结活性,使得3Y-TZP陶瓷在1300℃低温烧成下就获得了相对密度大于94%的烧结体;
(2) 经过1350℃初烧成后,再在1300℃×1h×150MPa的烧结制度下进行热等静压烧结,3Y-TZP陶瓷几乎全部为t-ZrO2;
(3) 3Y-TZP陶瓷在1350℃烧结后获得最佳的力学性能,断裂韧性和维氏硬度分别达到18.7MPa·m1/2和13.7GPa,四方氧化锆应力诱导相变是其主要的增韧机理;
(4) HIP对3Y-TZP陶瓷HV的作用显著,最大可增至14.3GPa。
参考文献
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2郭瑞松,蔡舒,季惠明,吴厚政等.工程结构陶瓷[M].天津:天津大学出版社,2002
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4饶平根,叶建东,岩佐美喜男,近藤功等.低温烧结3Y-TZP陶瓷的力学性能和耐磨性能[J].华南理工大学学报,2001,29(11):62~66
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